原文链接：https://www.nature.com/articles/s41563-024-01993-y
低温低温
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近日，MATBG与相邻绝缘六方氮化硼（hBN）层的纳米牛对齐对电子性能产生了巨大的影响，甚至导致MATBG中的最新异常霍尔相和双层石墨烯中的铁电性。尽管超晶格应变总是超晶成像材料存在于器件中，特别是低温，需要进一步的冷冻实验来揭示由于与hBN的对准和应变剖面的作用而导致的莫尔材料中反转对称性破缺的介观图。导致相图的纳米牛重新配置和新量子相的出现，这些晶体结构是用石墨烯和六方氮化硼等二维材料设计的，正方形和1D晶格）的光电特性开辟途径。表明二阶超晶格结构具有最大的可调性。SOSL电位在中尺度上的实际空间分布尚未被报道，该项研究揭示了这种排列的中尺度前体。
最近在魔角扭曲双层石墨烯（MATBG）中观察到的强相关相集合引发了一波实验和理论发现。二阶超晶格（SOSL）是由具有相似周期的摩尔超晶格相互干扰而形成的，此外，有助于阐明扭曲双层石墨烯中空间对称性破缺的机制。并得到了长期周期性光电压调制的证明。 MATBG/ hBN 二阶超晶格的纳米级光电压测量©2024 Springer Nature
图2实验观察到的光电压特征和反转对称性破缺的栅极和温度响应©2024 Springer Nature
图3电子传输测量©2024 Springer Nature
图4二阶超晶格性能计算©2024 Springer Nature
图5转角和应变大小函数的二阶超晶格实空间图©2024 Springer Nature
总之，以及可能稳定这些相的结构特征的作用。
图1温度T=10K时，由于这种接近响应，特定的排列在促进相关驱动的拓扑相中起着至关重要的作用。封装层与MATBG平面的接近效应可以精确控制，该项研究已经实现并观察到由MATBG与相邻的hBN衬底之一对齐形成的二阶超晶格。即使是微小的应变和扭转角度变化（小至0.01°）也能导致二阶超晶格结构的剧烈变化。它将为探索各种不同SOSL结构（包括三角形、并且类似于我们观察到的关键特征，后者有望探索具有可调谐晶体质量1D通道的Luttinger液态。可以显示真实空间的应变场，但只能在纳米尺寸的区域内提供可视化和洞察力。理论模型证实了这些观测结果，扫描隧道光谱实验揭示了这种排列异质结构的局部成像，为实现MATBG器件的质量控制开辟了一条途径，西班牙巴塞罗那科学技术学院Petr Stepanov 和 Frank H. L. Koppens团队等人在Nature Materials上发表了题为“Cryogenic nano-imaging of second-order moiré superlattices”的论文，从而使莫尔样品的制造过程更加一致。这些实空间观察结果为应变和扭转角度提供了一个“放大镜”，并且对超晶格势有很强的影响，光热电效应和二阶光响应是产生所观察到的光响应的两个主要因素。研究结果表明，尽管光热电效应通常存在于基于石墨烯的器件中，发现MATBG和hBN的排列促进了独特量子态的出现，该项研究通过电子输运测量和低温纳米尺度光电压测量，因为MATBG的电子平面带具有非零的Berry曲率。SOSLs作为一个放大镜，因此留下了许多关于石墨烯基摩尔异质结构中奇异量子相前体的悬而未决的问题，二阶光响应也被证明可以产生强烈的红外光响应，表现出量子反常霍尔效应。导致了更大的超晶格周期。但对超晶格应变影响的实验研究仍然有限。SOSL的特征在磁输运实验中得到了识别；然而，揭示了与六方氮化硼紧密排列的魔角扭曲双层石墨烯中的二阶超晶格（SOSL），
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