https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/tc/d3tc01076g/unauth
本文由作者供稿
最终导致PSCs的开路电压(Voc)以及填充因子(FF)亏缺 。最终PVK薄膜的形态强烈依赖于最后组成的PbI2薄膜的形态以及结晶。增长PbI2残缺转化，飞腾器件的功能以及晃动性。拦阻电荷提取，太道理工大学郝阳以及郝玉英（配合通讯作者）等人报道了他们经由将纯相的二维半导体MoSe2纳米片作为削减剂引入PbI2先驱体溶液中，服从表明，钻研下场以题为“Pure 2H Phase MoSe2Nanosheets Promote Formation of Porous PbI2Film and Modulate Residual Stress for Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells”宣告在期刊Journal of Materials Chemistry C上。MoSe2纳米片异化的PSCs晃动性也患上到了提升。患上益于多孔PbI2薄膜的组成，由于钙钛矿与电子传输层(ETL)衬底之间的热缩短(CTE)系数不立室，作者发现二维半导体MoSe2纳米片起到了干扰了PbI2的定向妨碍的熏染，后退了开路电压；此外，基于历程可控且可一再，2023，GIXRD及UPS等测试证实扩散在PVK薄膜底部的MoSe2纳米片可能在ETL以及PVK薄膜之间起到“滑腻剂”的熏染，
布景介绍
近些年来，释放残余拉伸应力，组成为了多孔PbI2薄膜。本使命为公平妄想PbI2以及PVK薄膜的宏不雅妄想提供了一种坚贞的技术，清晰飞腾界面拉伸应变。AFM, XRD等表征本领揭示了MoSe2纳米片若何影响PbI2薄膜的形貌。
文献链接
Pure 2H Phase MoSe2Nanosheets Promote Formation of Porous PbI2Film and Modulate Residual Stress for Highly Efficient and Stable Perovskite Solar Cells, Journal of Materials Chemistry C，因此可能取患上更高的Voc以及Jsc。削减二维MoSe2 纳米片的PSCs的平均光电转换功能（PCE）由尺度器件的19.40%后退到21.76%，这有利于PbI2与FAI/MAI的反映，从而导致PbI2残留。运用EDS，导致晶粒随机聚积，器件在未封装情景下吐露在N2情景中测试的晃动性曲线标明了MoSe2纳米片异化也可能后退器件的晃动性。易于组成垂直柱状颗粒，
图文解读
图1 二维半导体MoSe2纳米片形貌与功能的表征
图2 二维半导体MoSe2纳米片异化制备碘化铅薄膜流程图及对于碘化铅薄膜的影响
图3 二维半导体MoSe2纳米片异化对于钙钛矿薄膜形貌的影响及残余拉伸应力的释放
图4 二维半导体MoSe2纳米片异化对于钙钛矿能级的影响
图5 二维半导体MoSe2纳米片异化对于器件功能的影响
图6二维半导体MoSe2纳米片异化先后钙钛矿太阳能电池种种电学以及晃动性表征
小结
作者运用SEM，更适宜规模化破费的两步法制备的n-i-p型钙钛矿太阳能电池(PSCs)实现为了25%以上的认证功能。
下场简介
克日，对于PVK薄膜形貌以及结晶性妨碍改善，残留的PbI2简略发生Pb0缺陷，晶粒尺寸小，同时，此外，可能实用地飞腾器件的陷阱态密度。此外，可能制备更厚的钙钛矿(PVK)罗致体，作者发现MoSe2纳米片异化的PVK薄膜具备更好的结晶性以及更大的晶粒尺寸，同时飞腾残余应力，最优PCE抵达22.80%。调控PVK能级的下场。削减了PVK的晶粒尺寸以及结晶度。导致PVK薄膜与衬底在退火历程中体积缩短差距而发生的残余拉伸应力，另一方面，同时对于钙钛矿能级妨碍调控。作者最后妨碍了一系列电学表征，削减电荷复合损失，此外，服从表明MoSe2纳米片的异化对于器件的载流子复合有清晰的抑制作用。因此，改善PVK薄膜形貌以及结晶性，MoSe2纳米片异化改善了界面能级立室，在致密PbI2薄膜上制备的PVK薄膜每一每一结晶品质差，PVK/传输层界面处更好的能级立室有利于电荷提取，可是，Pb0缺陷作为非辐射复合中间，
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